型号 SI4446DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4446DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4446DY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 5.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 20V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4446DY-T1-GE3CT
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