收藏本站
型号 SI4446DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4446DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4446DY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 5.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 20V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI4446DY-T1-GE3CT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4446DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SI4447DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4447DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4448DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
SI4451DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
SI4453DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
SI4453DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 12V 8-SOIC
SI4455-B1A-FM Silicon Laboratories Inc IC EZRADIO FM TRANSCEIVER SI4355
SI4455DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 150V 8-SOIC
SI4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
SI4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
SI4456DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC